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Transistor RJP30H2DPK-M0 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A

Transistor RJP30H2DPK M0 Mosfet IGBT Potencia CH N 360 V 35 A

TRARJP30H2

$ 89.00 MXN

Precio Regular: $ 98.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar RJP30H2DPK-M0  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

  • Tecnología de compuerta de trinchera y oblea delgada (serie G6H-II)
  • Voltaje de saturación de colector bajo a emisor: VCE (sat) = 1.4 V typ
  • Conmutación de alta velocidad: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
  • Baja corriente de fuga

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje del colector al emisor VCES: 360 V
  • Voltaje a la tensión del emisor VGES: ± 30 V
  • Corriente del colector: 35 A
  • Corriente pico del colector Icp: 250 A
  • Disipación de potencia PD: 60 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • 3 pines 

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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