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Transistor RFP70N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 A

Transistor RFP70N06 Mosfet TO220 CH N 60 V 70 A

TRARFP70N06

$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor RFP70N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El RFP70N06 es un MOSFET de potencia de N-canal de 60V utilizando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización óptima del silicio, lo que resulta en un rendimiento excepcional. El MOSFET está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relés. Este transistor puede ser operado directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

 
  • Modelo PSPICE  de compensación de temperatura
  • Corriente de pico vs. curva de ancho de pulso
  • UIS Curva clasificada
  • 175 ° C Temperatura de unión nominal
  • Aplicaciones: Administración de potencia, control de motor  

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 70 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 150 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.014 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2996  IRF1010E   IRF2807  

Documentación

 

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