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Transistor MTP50N06V Mosfet TO220 CH-N 60 V 42 A

Transistor MTP50N06V Mosfet TO220 CH N 60 V 42 A

TRAMTP50N06

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor MTP50N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTP50N06 es un mosfet de modo  QFET® de canal N, de 60V. El MOSFET de potencia que se produce utilizando la tecnología patentada de banda ancha y DMOS de Fairchild. Esta avanzada tecnología ha sido diseñada especialmente para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico de lámpara basado en la topología de medio puente. Este dispositivo es muy adecuado para aplicaciones de baja tensión como convertidores DC / DC, conmutación de alta eficiencia para productos portátiles y con pilas. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.


  • Carga baja de la puerta
  • 100% Avalancha probada
  • Capacidad mejorada de dv / dt
  • Mejoras en la pérdida de conmutación
  • Pérdida de conducción más baja
  • 175 ° C Grado máximo de temperatura de unión
  • Aplicaciones: Administración de potencia, automoción, iluminación, convertidores DC-DC, fuente de alimentación de modo conmutado, dispositivos portátiles y uso general

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 42 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 147 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 160 W
  • Disipación de potencia Pd: 120 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.025 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2395     MTP52N06V    RFP50N06    STP55N06

Documentación

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