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Transistor MTP2N60E Mosfet TO220 CH-N 600 V 2 A

Transistor MTP2N60E Mosfet TO220 CH N 600 V 2 A

TRAMTP2N60E

$ 35.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor MTP2N60E de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El Transistor MTP2N60E Mosfet fue diseñado para fuente de alimentación conmutada de alta eficiencia.

  • Energía de avalancha especificada
  • Cambio rápido
  • Requisitos de manejo simples
  • Aplicaciones: Fuente de alimentación conmutada

Información Básica 

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 2 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 8 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 42 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 4.4 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

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