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Transistor MMBT2222ALT1G Pequeña Señal
TRAMMBT2222ALT1G
Descripción
Él MMBT2222ALT1G es un transistor bipolar del silicio de NPN, diseñado para el uso en aplicaciones lineares, de montaje de la superficie de la energía más baja y de la conmutación.
- Sin halógenos / sin BFR
- AEC-Q101 Calificado y con capacidad PPAP
Información Básica
- Polaridad: NPN
- Tensión colector emisor V(br)ceo: 40 V
- Frecuencia de transición ft: 300 MHz
- Disipación de potencia Pd: 225 mW
- Corriente de colector DC: 600 mA
- Ganancia de corriente DC hFE: 300 hFE
- Temperatura de trabajo máximo: 150°C
- Encapsulado SOT-23
- 3 pines
Sustituto
No Aplica
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