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Transistor FQPF12N60 Mosfet TO220 CH N 600 V 5.8 A

Transistor FQPF12N60 Mosfet TO220 CH N 600 V 5.8 A

TRAFQPF12N60

$ 28.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQPF12N60  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El FQPF12N60 es un Mosfet ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de conmutación y conmutación.

  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Cambio rápido
  • Carga de puerta baja (típico 42 nC)
  • Crss bajo (típico 25 pF)
  • Avalancha probada al 100%
  • Aplicaciones: Para fuente de alimentación de modo de conmutación de alta eficiencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 5.8 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 23 A
    • Disipación de potencia (Tc=)25°C): 55 W
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.53 ohm
    • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
    • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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