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M27C256B-10F1 Memoria CMOS EPROM

M27C256B-10F1 Memoria CMOS EPROM

CIM27C256B10F1

$ 99.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Circuito integrado 27C256B-10F1, ideal para sistemas de microprocesadores, organizado como 32.768 por 8 bits. El FDIP28W (ventana cerámica frita-sellado) tiene una tapa transparente que permite al usuario exponer el chip a luz ultravioleta para borrar el patrón de bits. Un modelo nuevo puede ser escrito en el dispositivo siguiendo el procedimiento de programación. Para aplicaciones en las que se programa el contenido de una sola vez y el borrado no se requiere, la M27C256B se ofrece en encapsulados PDIP28, PLCC32 y TSOP28 (8 x 13,4 mm).
  • 5V ± 10% de voltaje de suministro en leer operación
  • Tiempo de acceso rápido: 45 ns
  • Bajo consumo de energía:
                             - Corriente activa 30 mA a 5 MHz
                              - Corriente en espera 100 μA
  • Voltaje de programación: 12.75 V ± 0.25V
  • Tiempo de programación: 100 μs / byte

Especificaciones

  • Tensión de programación mínima: ± 0,25 V
  • Tensión de programación máxima: 12.75 V
  • Suministro de voltaje de operación mínimo: 5V ± 10%
  • Tiempo de acceso: 45 ns
  • Bajo consumo de energía:
         - 30 mA Corriente activa en 5 MHz
         - 100 μA corriente de espera
  • El tiempo de programación: 100μs
  • Encapsulado DIP
  • 28 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

 

Nota: Circuito integrado sensible, tomar precauciones durante su manipulación como pulsera anti estática

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