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IR2117
CIRIR2117
Descripción
El IR2117 es un MOSFET de canal único e IGBT controlador cuenta con propiedades HVIC de tecnologías CMOS inmunes que permite la construcción robusta. La entrada lógica es compatible con salidas CMOS estándar. El controlador de salida cuenta con una etapa buffer actual de pulso alto diseñado para la conducción transversal mínima. El canal flotante se puede utilizar para conducir un MOSFET de potencia de canal N o IGBT en el alta o del lado de baja configuración que opera hasta 600V.
- Controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje
- Canal flotante diseñado para operación bootstrap
- Totalmente operativo a + 600V
- Tolerante a voltaje transitorio negativo dV / dt inmune
- Rango de suministro de accionamiento de puerta de 10 a 20 V
- Bloqueo por subtensión
- Entradas activadas por CMOS Schmitt con pull-down
- Las tecnologías patentadas HVIC y CMOS inmune a pestillos permiten una construcción monolítica resistente
Especificaciones
- Número de canales: 1
- Configuración del controlador: Lado alto
- Tipo de interruptor de potencia: IGBT, mosfet
- Tipo de entrada: No inversor
- Tensión de alimentación mínima: 10 V
- Tensión de alimentación máxima: 20 V
- Corriente fuente:250 mA
- Corriente sumidero: 500 mA
- Tensión de alimentación mínima: 10 V
- Tensión de alimentación máxima: 20 V
- Retardo de entrada: 125 ns
- Retardo de salida: 105ns
- Temperatura de operación mínima: -40 °C
- Temperatura de operación máxima: 125 °C
- Encapsulado: DIP
-
Número de pines: 8
Sustituto
No Aplica
Documentación
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