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IR2112

IR2112

CIRIR2112

$ 24.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IR2112SPBF es un MOSFET de potencia de alta velocidad de alta tensión y un controlador IGBT con canales de salida independientes de referencia alta y baja. La tecnología CMV inmune patentada de HVIC y el pestillo permite una construcción monolítica resistente. Las entradas lógicas son compatibles con salidas CMOS o LSTTL estándar, hasta una lógica de 3.3V. El controlador de salida cuenta con una etapa de búfer de corriente de alto pulso diseñada para una conducción cruzada mínima del controlador. Los retrasos de propagación se combinan para simplificar el uso en aplicaciones de alta frecuencia. El canal flotante se puede usar para controlar un MOSFET de potencia de canal N o IGBT en la configuración del lado alto que funciona hasta 600V.

  • Canal flotante diseñado para la operación bootstrap
  • Tolerante al voltaje transitorio negativo DV / DT Inmune
  • Bloqueo de baja tensión para ambos canales
  • Entradas activadas por Schmitt CMOS con menú desplegable
  • Lógica de apagado activada por flanco ciclo por ciclo
  • Retardo de propagación emparejado para ambos canales
  • Salidas en fase con entradas
  • Aplicaciones: Industrial, electrónica de consumo, energía alternativa, administración de potencia.

Especificaciones

  • Número de canales: 2
  • Configuración del controlador: Lado alto y lado bajo
  • Tipo de interruptor de potencia: Mosfet
  • Tipo de entrada: No inversor
  • Corriente fuente: 250 mA
  • Corriente sumidero: 500 mA
  • Tensión de alimentación mínima: 10 V
  • Tensión de alimentación máxima: 20 V
  • Retardo de entrada: 125 ns
  • Retardo de salida: 105 ns
  • Temperatura de operación mínima: -40°C
  • Temperatura de operación máxima: 125°C
  • Encapsulado: DIP
  • Número de pines: 14

Sustituto

No Aplica

Documentación

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