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Transistor IRF3710 Mosfet TO220 CH-N 100 V 57 A

Transistor IRF3710 Mosfet TO220 CH-N 100 V 57 A

TRAIRF3710

$ 46.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF3710 de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal único N de 100V en encapsulado TO-220. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.


    • Tecnología de proceso avanzada
    • Resistencia ultra baja
    • Clasificación dinámica dv / dt
    • 175 ° C Temperatura de funcionamiento
    • Cambio rápido
    • Totalmente clasificado como avalancha
    • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo

    Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 57 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 230 A
    • Corriente de avalancha IAR: 28 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 200 W
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 23 mΩ
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2909

    Documentación

    Datasheet

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