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IR2101PBF
CIRIR2101PBF
Descripción
El IR2101PBF es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje con canales de salida independientes referenciados en el lado alto y bajo. La tecnología patentada HVIC y CMOS inmune a pestillos permite una construcción monolítica resistente. La entrada lógica es compatible con la salida estándar CMOS o LSTTL y con lógica de hasta 3.3V. El controlador de salida presenta una etapa de búfer de alta corriente de pulso diseñada para una conducción cruzada mínima del controlador. El canal flotante se puede utilizar para impulsar un MOSFET o IGBT de potencia de canal N en la configuración del lado alto que opera hasta 600V.
- Inmune a DV / DT
- Bloqueo por bajo voltaje
- Retardo de propagación igualado para ambos canales
- Salidas en fase con entradas
- Canal flotante diseñado para operación bootstrap
- Totalmente operacional a + 600V
- Tolerante a voltaje transitorio negativo Inmune a V / dt
- Rango de suministro de controlador de puerta de 10 a 20V
- Entrada lógica de 3.3V, 5V y 15V compatible
- Retardo de propagación emparejado para ambos canales
- Aplicaciones: Industrial, electrónica de consumo, energía alternativa, administración de potencia
Especificaciones
- Número de canales: 2
- Configuración del controlador: Lado alto y lado bajo
- Tipo de interruptor de potencia: IGBT, Mosfet
- Tipo de entrada: No inversor
- Corriente fuente: 210 mA
- Corriente sumidero: 360 mA
- Tensión de alimentación mínima: 10 V
- Tensión de alimentación máxima: 20 V
- Retardo de entrada: 160 ns
- Retardo de salida: 150 ns
- Temperatura de trabajo mínima: -40°C
- Temperatura de trabajo máxima: 125°C
- Encapsulado: DIP
- Número de pines: 8
Sustituto
No Aplica
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