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ADC0804LCWM/NOPB

ADC0804LCWM/NOPB

CIRADC0804LCWM

$ 95.00 MXN

Precio Regular: $ 139.00
Precio incluye IVA

Descripción

El ADC0804LCWM/NOPBes un convertidor analógico a digital de aproximación sucesiva de 8 bits CMOS que utiliza una escala potenciométrica diferencial. Este convertidor está diseñado para permitir el funcionamiento con el bus de control derivativo NSC800 e INS8080A con latches de salida Tri-State que dirigen directamente el bus de datos. Este ADC aparece como ubicaciones de memoria o puertos de E / S en el microprocesador y no se necesita lógica de interfaz. Las entradas de tensión analógicas diferenciales permiten aumentar el rechazo en modo común y compensar el valor de tensión de entrada cero analógica. Además, la entrada de referencia de voltaje se puede ajustar para permitir la codificación de cualquier rango de voltaje analógico más pequeño a los 8 bits de resolución.


  • Convertidor: Análogo a digital
  • Interfaz fácil para todos los microprocesadores o funciona como un dispositivo independiente
  • Entradas de tensión analógica diferencial
  • Las entradas y salidas lógicas cumplen con las especificaciones de voltaje MOS y TTL
  • Generador de reloj on-chip
  • No se requiere ajuste cero
  • 100μs Tiempo de conversión
  • Aplicaciones: Instrumentación y medida  

Especificaciones

  • Interfaz de datos: Paralelo
  • Tipo canal de entrada: Diferencial
  • Resolución: 8 Bits
  • Frecuencia de muestreo: 9.708C kSP
  • Tipo de voltaje de alimentación: Único
  • Tensión de alimentación mínima:  4.5 V
  • Tensión de alimentación máxima: 6.3 V
  • Temperatura de operación mínima:  0°C
  • Temperatura de operación máxima: 70°C
  • Encapsulado: SMD
  • 20 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Nota: Circuito integrado sensible, tomar precauciones durante su manipulación como pulsera antiestática. Este dispositivo tiene una protección ESD limitada incorporada, los cables deben acoplarse entre sí o el dispositivo colocado en espuma conductora durante el almacenamiento o la manipulación para evitar daños electrostáticos en las compuertas MOS.

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