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Transistor IRFR3806PBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 60 V 43 A

Transistor IRFR3806PBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 60 V 43 A

TRAIRFR3806PBF

$ 34.00 MXN

Precio Regular: $ 40.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFR3806PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFR3806PBF es un transistor MOSFET de 60 V,HEXFET® de canal N único con muy baja  resistencia por área de silicio y rendimiento de conmutación rápido utilizando la tecnología Trench MOSFET. Adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de alta velocidad de potencia, circuitos de alta frecuencia y conmutación.

 

  • Puerta mejorada, avalancha y robustez dv / dt dinámica
  • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA
  • Diodo de cuerpo mejorado dV / dt y dI / dt capacidad
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Especificaciones

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje -fuente Vds: 60 V
  • Tensión Vgs de medición RDS (on): 20 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Idl: 43 A
  • Disipación de potencia Pd: 71 W
  • Resistencia de activación RDS (on) typ: 0.0126 ohms
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C
  • Encapsulado: TO-252
  •  3 pines

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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