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Transistor TK7P60W Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 7 A

Transistor TK7P60W Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 7 A

TRATK7P60W

$ 110.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor TK7P60W  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Resistencia on-drain de la fuente de desagüe: RDS (ENCENDIDO)= 0.5 Ω (típico) por utilizado para Super Junction Structure: DTMOS
  • Fácil de controlar Cambio de puerta
  • Modo de mejora: Vth = 2.7 a 3.7 V (VDS= 10 V, Ire = 0.35 mA)
  • Aplicaciones: Reguladores de voltaje de conmutación

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 7 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 28 A
  • Corriente de avalancha IAR: 1.8 A
  • Resistencia de encendido RDS(ON) typ: 0.5 Ω
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 60 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: D-PAK
  • Número de pines: 3

Sustituto

TK10P60W

Documentación 

Datasheet

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