$ 17.00 MXN

Precio Regular: $ 28.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  TK3A65DA  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Resistencia ON de baja fuente de drenaje: RDS (ON) = 2.3 Ω (típico)
  • Alta admitancia de transferencia directa: | Yfs | = 2.2 S (típico) 
  • Corriente de fuga baja: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 650 V)
  • Modo de mejora: Vth = 2.4 a 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Aplicaciones: Regulador de conmutación

Especificaciones

  • Polaridad: Canal: N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 2.5 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 35 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.0019 Ohms
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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