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Transistor TK10P60W Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 9.7 A

Transistor TK10P60W Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 9.7 A

TRATK10P60W

$ 120.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor TK10P60W de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


  • Resistencia RDS (ENCENDIDO)= 0.5 Ω (típico)
  • Fácil control de puerta de switcheo
  • Modo de mejora Vth = 2.7 V a 3.7 V (VDS= 10 V, Ire = 0.35 mA)
  • Aplicaciones: Reguladores de voltaje de conmutación

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9.7 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 38.8 A
  • Corriente de avalancha IAR: 2.5 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 80 W
  • Resistencia de encendido RDS (ON) typ: 0.327 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: D-PAK
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación 

Datasheet

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