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Transistor TK10A60D Mosfet TO220 CH-N 600 V 10 A

Transistor TK10A60D Mosfet TO220 CH-N 600 V 10 A

CIRTK10A60D

$ 85.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor TK10A60D  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. El TK10A60D es un mosfet regulador para aplicaciones de switcheo.

 

  • Baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje: RDS (ENCENDIDO) = 0.62 Ω (tipo)
  • Alta admitancia de transferencia hacia adelante: | Yfs | = 6.0 S (típico)
  • Corriente de fuga baja: IDSS = 10 μA (VDS = 600 V)
  • Modo de mejora: Vth = 2.0 a 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Aplicaciones: Regulación de conmutación

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 600 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 10 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 40 A
    • Corriente de avalancha IAR: 10 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 45 W
    • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.62 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2927   

    Documentación 

    Datasheet

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