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Transistor STW20NM60FD Mosfet Potencia CH-N 600 V 20 A

Transistor STW20NM60FD Mosfet Potencia CH-N 600 V 20 A

TRASTW20NM60FD

$ 216.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STW20NM60FD de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Baja capacidad de entrada y carga de entrada
  • Baja resistencia de rendimiento de gates
  • 100% probado en avalacha
  • Control estricto de procesos y altos rendimientos de fabricación
  • Variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable
  • Aplicaciones: Conmutación

Especificaciones

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 20 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 80 A
  • Corriente de avalancha IAR: 10 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 214 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.26 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

 

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