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Transistor STW11NM80 Mosfet Potencia CH-N 800 V 11 A

Transistor STW11NM80 Mosfet Potencia CH-N 800 V 11 A

TRASTW11NM80

$ 150.00 MXN

Precio Regular: $ 180.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STW11NM80 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El STW11NM80 es un MOSFET de potencia de canal N de MDmesh ™ con baja capacitancia de entrada y carga de compuerta. Este Power MOSFET se desarrolló utilizando la revolucionaria tecnología MDmesh ™ de STMicroelectronics, que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH ™ de la compañía. Este dispositivo ofrece una resistencia al encendido extremadamente baja, alto dV / dt y excelentes características de avalancha. Utilizando la técnica de tira patentada de ST, este Power MOSFET cuenta con un rendimiento dinámico general que es superior a los productos similares en el mercado. 

  • Resistencia de entrada de compuerta baja
  • Mejor RDS (ON) Qg en la industria
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, conmutación

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 900 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 800 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 11 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 44 A
  • Corriente de avalancha IAS: 2.5 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 150 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.35 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-247
  • Número de pines: 3

Sustituto

SPW11N80C

Documentación

Datasheet

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