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Transistor STP9NB50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 8.6 A

Transistor STP9NB50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 8.6 A

TRASTP9NB50

$ 33.00 MXN

Precio Regular: $ 50.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP9NB50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • 100%  avalancha probado
  • Alta capacidad de corriente
  • Alta capacidad dv/dt
  • Datos avalancha repetitivos a 100°C
  • Bajas capacidades intrínsecas
  • Carga compuerta minimizado
  • Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación, conmutadores de modo interruptor (SMPS), convertidores DC-AC para soldadura, equipamiento  ininterrumpido, fuentes de alimentación y control de motor

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 8.6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 34.4 A
  • Corriente de avalancha IAR: 8.6 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 125 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.75 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2995  

Documentación

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