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Transistor STP8NK85Z Mosfet TO220 CH-N 850 V 6.7 A

Transistor STP8NK85Z Mosfet TO220 CH-N 850 V 6.7 A

TRASTP8NK85Z

$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP8NK85Z de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • 100%  avalancha probado
  • Alta capacidad de corriente
  • Alta capacidad dv/dt
  • Datos avalancha repetitivos a 100°C
  • Bajas capacidades intrínsecas
  • Carga compuerta minimizado
  • Aplicaciones: Conmutación, industrial

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 850 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 850 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 6.7 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 26.7 A
  • Corriente de avalancha IAR: 6.7 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 150 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 1.1 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica 

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