$ 28.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor   STP8NC50FP de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Capacidad 100% avalancha probado
  • Aplicaciones: Interruptor de alta velocidad y alta velocidades con modo de alimentación (SMPS),  convertidores DC-AC, para equipos de soldadura y suministros de alimentación independientes y conductores de motor

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 8 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 32 A
  • Corriente de avalancha IAR: 8 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 40 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.85 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220FP
  • 3 pines

Sustituto

MTP8NC50  MTP8N50E   STP9NB50  

Documentación

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