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Transistor STP7NK80Z Mosfet TO220 CH-N 800 V 5.2 A

Transistor STP7NK80Z Mosfet TO220 CH-N 800 V 5.2 A

TRASTP7NK80Z

$ 62.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP7NK80Z  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El STP7NK80Z es un MOSFET de potencia protegido por Zener de 800 V de canal N  desarrollado con la tecnología SuperMESH ™, que se logra a través de la optimización del diseño bien establecido PowerMESH ™ basado en tiras. Además de presionar a la resistencia significativamente, se tiene especial cuidado para asegurar una muy buena capacidad dv / dt para las aplicaciones más exigentes. Se mejoró la carga de la compuerta y se redujo la disipación de potencia para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.

 

 
  • Capacidad dv / dt extremadamente alta
  • 100% avalancha probado
  • Carga de compuerta minimizada
  • Capacitancia intrínseca muy baja
  • Aplicaciones: Industrial, iluminación, SMPS, conmutación de alta velocidad

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 800 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 800 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 5.2 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 20.8 A
  • Corriente de avalancha IAR: 5.2 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 125 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 1.5 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220FP
  • 3 pines

Sustituto

STP7NK80ZFP

Documentación

Datasheet

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