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Transistor STP75NF75 Mosfet TO220 CH-N 75 V 80 A

Transistor STP75NF75 Mosfet TO220 CH-N 75 V 80 A

TRASTP75NF75

$ 44.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP75NF75 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El STP75NF75 es un MOSFET de potencia STripFET ™ II de 75 V de canal N realizado con el exclusivo proceso STripFET. Ha sido específicamente diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Por lo tanto, es adecuado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia para aplicaciones de telecomunicaciones y computadoras. También está diseñado para cualquier aplicación con requisitos de carga de puerta baja. Se mejoró la carga de la compuerta y se redujo la disipación de potencia para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.

  • Excepcional capacidad dv / dt
  • 100% avalancha probado
  • Aplicaciones: Industrial, entorno automotriz (inyección, ABS, airbag, controladores de lámparas, etc.), control de motores, amplificadores de audio, convertidores CC-CC y CC-CA, controladores de regulador, solenoide y relé

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 75 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 75 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 80 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 320 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 300 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.0095 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    IRFB3607   FSM75N75

    Documentación

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