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Transistor STP6NA60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 6.5 A

Transistor STP6NA60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 6.5 A

TRASTP6NA60

$ 48.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP6NA60 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El STP6NA60FI es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 600 V con configuración única. Es adecuado para SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida y aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad.

  • Baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de manejo simple
  • Compuerta mejorada, avalancha y robustez dV / dt dinámica
  • Tensión y corriente de capacitancia y avalancha completamente caracterizadas
  • Eficaz COSS especificado
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, entorno automotriz (inyección, ABS, airbag, controladores de lámparas, etc.), control de motores, amplificadores de audio, convertidores CC-CC y CC-CA, controladores de regulador, solenoide y relé

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 6.5 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 26 A
  • Corriente de avalancha IAR: 6.5 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 45 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 1 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220FP
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2379  

    Documentación

    Datasheet

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