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Transistor STP6N25 Mosfet TO220 CH-N 250 V 6 A

Transistor STP6N25 Mosfet TO220 CH-N 250 V 6 A

TRASTP6N25

$ 29.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP6N25 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • RDS(on)= 0.7Ω
  • 100 °/° avalancha probado
  • Datos avalancha repetitivos a 100°C
  • Aplicaciones: Conmutación de alta velocidad, suministro de energía ininterrumpido (UPS), control motor, amplificadores de audio, actuadores industriales, convertidores D-DC y  DC-AC, telecomunicaciones, industrial, lámparas fluorescentes electrónicas

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 250 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 250 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±25 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 24 A
  • Corriente de avalancha IAR: 6 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C):70 W
  • Resistencia de activación  RDS(on) typ: 0.7 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2379 

    Documentación

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