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Transistor STP4NK60ZFP Mosfet TO220 CH-N 600 V 4 A

Transistor STP4NK60ZFP Mosfet TO220 CH-N 600 V 4 A

TRASTP4NK60ZFP

$ 30.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP4NK60ZFP  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El STP4NK60ZFP es un MOSFET de potencia protegido por Zener de 600V de canal N desarrollado mediante la tecnología SuperMESH ™, logrado a través de la optimización del diseño PowerMESH ™ basado en bandas bien establecido. Además de presionar a la resistencia significativamente, se tiene especial cuidado para asegurar una muy buena capacidad dv / dt para las aplicaciones más exigentes. Se mejoró la carga de la compuerta y se redujo la disipación de potencia para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.


  • 100% avalancha probado
  • Capacitancia intrínseca muy baja
  • Protección Zener
  • Aplicaciones: Industrial, conmutación

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 4 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 16 A
  • Corriente de avalancha IAR: 4 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 25 W
  • Resistencia de disparo RDS (on) typ: 1.7 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220PF
  • 3 Pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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