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Transistor STP20NM50FP Mosfet TO220 CH-N 500 V 14 A

Transistor STP20NM50FP Mosfet TO220 CH-N 500 V 14 A

TRASTP20NM50FP

$ 48.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP20NM50FP de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Altas capacidades dv/dt
  • 100% probado en avalacha
  • Baja capacidad de entrada y carga de entrada
  • Baja resistencia de rendimiento de gates
  • Aplicaciones: Aumentar la densidad de potencia de alto voltaje, convertidores que permiten la miniaturización del sistema

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 550 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 550 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 20 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 80 A
  • Corriente de avalancha IAR: 10 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 45 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.20 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO220FP
  • 3 pines

Sustituto  

SPP21N50C3   SPA15N60C3    SPP15N60C3

Documentación

Datasheet

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