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Transistor STP16NF06FP Mosfet TO220 CH-N 60 V 11 A

Transistor STP16NF06FP Mosfet TO220 CH-N 60 V 11 A

TRASTP16NF06FP

$ 22.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP16NF06FP de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Excepcional capacidad dv / dt
  • Tecnología avalancha 100% probada
  • Aplicaciones: Control motor, amplificadores de audio, velocidad de alta corriente, alta conmutación, controladores de solenoide y rele, convertidores DC-Dc y DC-AC, automotriz

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 11A
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.100 Ω
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 25 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.080 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    IRF541    IRFZ24N   MTP20N06   MTP3055    STP16NE06

    Documentación

    Datasheet

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