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Transistor STP16NE06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 16 A

Transistor STP16NE06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 16 A

TRASTP16NE06

$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP16NE06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. 

 

  • Tecnología avalancha 100% probado
  • Baja capacidad de entrada y carga de entrada
  • Baja resistencia de rendimiento de gates
  • Alta capacidad de dv/dt
  • Control estricto de procesos y altos rendimientos de fabricación
  • Aplicaciones: Control de motor DC, convertidores DC-DC y DC-AC, rectificación sincrona

Especificaciones

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 16 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 64 A
  • Corriente de avalancha IAR: 16A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 60 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.080 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

IRF541   IRFZ24NPBF   

Documentación

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