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Transistor STP12NB30 Mosfet TO220 CH-N 300 V 12 A

Transistor STP12NB30 Mosfet TO220 CH-N 300 V 12 A

TRASTP12NB30

$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP12NB30 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Capacidad extremadamente altadv / dt
  • Capacidad de ESD mejorada
  • 100% avalancha probado
  • Voltaje de compuerta minimizado
  • Muy bajas capacidades intrínsecas
  • Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación, suministro de energía, interruptor (UPS), convertidores DC-DC y DC-AC, telecomunicaciones, industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 300 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 300 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 12 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 125 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.34 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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