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Transistor STP11NM80 Mosfet TO220 CH-N 800 V 11 A

Transistor STP11NM80 Mosfet TO220 CH-N 800 V 11 A

TRASTP11NM80

$ 37.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP11NM80 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Baja capacitancia de entrada y carga de compuerta
  • Baja resistencia de entrada de compuerta
  • Mejor RDS (encendido)
  • Aplicaciones: Conmutación, interruptor en particular para Flyback y topologías conversoras y para ignición de circuitos en el campo del rayo

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 800 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 800 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 11 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 44 A
  • Corriente de avalancha IAS: 2.5 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 150 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.35 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

STF11NM80

Documentación

Datasheet

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