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Transistor STP10NK60ZFP Mosfet TO220 CH N 600 V 10 A
TRASTP10NK60ZFP
Descripción
El transistor STP10NK60ZFP de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El STP10NK60ZFP es un MOSFET de potencia protegido por un zener de N-canal de 600V desarrollado mediante la tecnología SuperMESH ™, logrado a través de la optimización del diseño PowerMESH ™ basado en bandas bien establecido. Además de una reducción significativa en la resistencia, este MOSFET está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv / dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de puerta mejorada y menor disipación de energía para satisfacer los exigentes requisitos actuales de eficiencia.
- Capacidad dv / dt extremadamente alta
-
100% Avalancha probada
-
Carga de puerta minimizada
- Zener-protegido
- Baja capacidad de entrada y carga de entrada
- Baja resistencia de rendimiento de gates
- Libre de plomo
- Aplicaciones: Industrial, conmutación, administración de potencia
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
- Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 600 V
- Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 10 A
- Corriente de drenaje pulsada IDM: 36 A
- Corriente de avalancha IAR: 9 A
- Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 35 W
- Resistencia de activación RDS(on) máximo: 0.75 Ω
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150°C
- Encapsulado: TO-220
- Número de pines: 3
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