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Transistor STH8NA60FI Mosfet Potencia CH-N 600 V 5 A

Transistor STH8NA60FI Mosfet Potencia CH N 600 V 5 A

TRASTH8NA60FI

$ 42.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STH8NA60FI de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  •  RDS (encendido)= 0.92Ω
  • 100% avalancha probado
  • Datos avalancha repetitivos a 100°C
  • Bajas capacidades intrínsecas
  • Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación, conmutadores de modo de interruptor (SMPS), convertidores DC-AC para soldadura, equipamiento e ininterrumpido, fuentes de alimentación y drive de motor

Información Básica

  •  Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 5 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°): 60 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.92 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2973 

    Documentación

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