Inicio » Semiconductores
» Transistor STH10N60FI Mosfet Potencia CH-N 600 V 10 A
Transistor STH10N60FI Mosfet Potencia CH-N 600 V 10 A

Transistor STH10N60FI Mosfet Potencia CH-N 600 V 10 A

TRASTH10N60FI

$ 32.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STH10N60FI  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Capacidad extremadamente alta de dv / dt
  • 100% Avalancha probado
  • Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación, conmutadores de modo de interruptor (SMPS), convertidores DC-AC para soldadura, equipamiento ininterrumpido, fuentes de alimentación y driver de motor

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 10 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 160 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máximo: 0.75 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-247
  • 3 pines

    Sustituto

    No aplica

    Documentación

    Productos Relacionados

    Comentarios