$ 28.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet STD9N40M2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Carga de compuerta extremadamente baja
  • Área de RDS (encendido) más baja que la generación anterior
  • Resistencia de entrada de compuerta baja
  • 100% probado contra avalanchas
  • Protegido con Zener
  • Aplicaciones: Conmutación

Especificaciones

  • Polaridad de transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 450 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 400 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±25 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 24 A
  • Corriente de avalancha IAR: 2.5 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 60 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.59 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: DPACK
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

Wikipedia

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