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Transistor SSS6N60A Mosfet TO220 CH-N 600 V 3.2 A

Transistor SSS6N60A Mosfet TO220 CH-N 600 V 3.2 A

TRASSS6N60A

$ 29.00 MXN

Precio Regular: $ 36.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SSS6N60A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Bajo RDS (ON)
  • Robustez inductiva mejorada
  • Tiempos de swichig rápidos
  • Baja capacitancia de entrada
  • Área de operación segura extendida
  • Fiabilidad mejorada a altas temperaturas
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 3.2 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 40 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 1.2 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

2SK2645   FQPF8N60C   MDF7N65 

Documentación

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