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Transistor RFP10N15 Mosfet TO220 CH-N 150 V 10 A

Transistor RFP10N15 Mosfet TO220 CH-N 150 V 10 A

TRARFP10N15

$ 23.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor RFP10N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El RFP10N15 es un  MOSFET de poder diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de baja y alta velocidad, como reguladores de conmutación, convertidores, solenoides y controladores de relé.


  • Compuerta de silicio para velocidades de conmutación rápidas
  • RDS (ON) bajo para minimizar las pérdidas
  • Especificado a temperaturas elevadas
  • Rugged SOA es una disipación de energía limitada
  • Diodo en la fuente para el uso con cargas inductivas
  • Aplicaciones: Industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 150 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 150 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 10 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 25 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 60 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.3 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2388  

Documentación

Datasheet

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