$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor NTP75N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y baja tensión en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motor de potencia y puente circuitos.

  • RDS ultra bajo (encendido), alta densidad celular, HDTMOS
  • El diodo se caracteriza por su uso en circuitos de puente
  • IDSS y VDS (encendido) especificados a temperatura elevada
  • Energía de avalancha especificada
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación, convertidores, controles del motor de potencia, circuito puente

 

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 75 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 150 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.0082 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

MTP75N06HD   

Documentación

 

 

 

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