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Transistor NTD3055L104G Mosfet Pequeña Señal CH-N 60 V 12 A

Transistor NTD3055L104G Mosfet Pequeña Señal CH-N 60 V 12 A

TRANTD3055L104G

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet  NTD3055L104G pequeña señal. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • RDS inferior (activado)
  • VDS inferior (activado)
  • Especificación VSD más estricta
  • Tiempo de recuperación inversa de diodo inferior
  • Carga almacenada de recuperación inversa inferior
  • Aplicaciones típicas: Fuentes de alimentación, convertidores, controles del motor de potencia, circuito puente

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 12 A
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: 60 V
  • Resistencia de activación Rds (on): 104 mohms
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 5 V
  • Tensión umbral Vgs: 1.6 V
  • Disipación de potencia Pd: 48 W
  • Temperatura máxima de operación: 175°C
  • Encapsulado: TO-252
  • 3 pines
  • Modelo: 45J2117

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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