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Transistor NDT3055L Mosfet Pequeña Señal CH-N 4 A 60 V

Transistor NDT3055L Mosfet Pequeña Señal CH-N 4 A 60 V

TRANDT3055L

$ 21.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor NTD3055L de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El NTD3055L  está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y proporcionar superior conmutación de rendimiento, y soportar pulso de alta energía en los modos de avalancha y conmutación.
Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de baja tensión como Control de motor DC y conversión DC / DC donde rápido conmutación, baja pérdida de potencia en línea y resistencia a se necesitan transitorios.

 

  • 4 A, 60 V. RDS (ENCENDIDO)  = 0.100Ω  @ VGS  = 10 V,RDS (ENCENDIDO)  = 0.120Ω  @ VGS  = 4.5 V
  • Bajos requisitos de accionamiento que permiten el funcionamiento directamente desde la lógica conductores. VGS (TH)  <2V
  • Diseño de celda de alta densidad para R extremadamente bajo DS (ENCENDIDO)
  • Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un amplio uso paquete de montaje en superficie
  • Aplicaciones: Administración de potencia, control de motor, automoción

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 4 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 3 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.100 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-223
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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