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Transistor MTP75N06HD Mosfet TO220 CH-N 60 V 75 A

Transistor MTP75N06HD Mosfet TO220 CH-N 60 V 75 A

TRAMTP75N06

$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor MTP75N06  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTP75N06 de Fairchild es un MOSFET QFET de potencia de modo de mejora que presenta banda planar y tecnología DMOS que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha. Es adecuado para fuente de alimentación conmutada, amplificador de audio, control de motor de CC y aplicaciones de potencia de conmutación variable.


  • Carga de compuerta baja típicamente 86 nC
  • Capacitancia de transferencia inversa baja de 165 pF
  • Drene a voltaje de fuente (Vds) de 60 V
  • Puerta a la fuente de voltaje de ± 25 V
  • Corriente de drenaje continuo (Id) de 85 A
  • Disipación de potencia (Pd) de 160 W
  • Bajo en resistencia de estado de 800mohm en Vgs 10 V
  • Rango de temperatura de funcionamiento de -55 ° C a 175 ° C
  • Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo, dispositivos portátiles, industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 20 V
  • Corriente continua de drenaje ID:75 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 150 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.0083 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTP75N06

    Documentación

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