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Transistor MTP6N60E Mosfet TO220 CH-N 600 V 6 A

Transistor MTP6N60E Mosfet TO220 CH-N 600 V 6 A

TRAMTP6N60E

$ 32.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

MTP6N60E MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, este avanzado TMOSE – FET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El nuevo diseño de eficiencia energética también ofrece diodos adrain-to-source con un tiempo de recuperación rápido. Diseñados para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motor PWM, estos dispositivos son particularmente adecuados para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y la conmutación de áreas seguras de operación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.

  • Robusta terminación de alto voltaje
  • Energía de avalancha especificada
  • El diodo se caracteriza por su uso en circuitos de puente
  • Aplicaciones: Regulador chopper, convertidor DC-DC, accionamiento de motor, SMPS, iluminación

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 10 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 18 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 125 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.94 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2995   MDF7N65   STP6NA60

Documentación

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