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Transistor MTP3N50E Mosfet TO220 CH-N 500 V 3 A

Transistor MTP3N50E Mosfet TO220 CH-N 500 V 3 A

TRAMTP3N50E

$ 35.00 MXN

Precio Regular: $ 65.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTP3N50E es un  TMOS E – FET de alto voltaje  diseñado para soportar alta energía en el modo de avalancha y cambiar eficientemente. Este dispositivo de alta energía también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo de recuperación rápido y es diseñado para su uso en  aplicaciones de alto voltaje, alta velocidad de conmutación, tales como fuentes de alimentación, controles de motor PWM y otras cargas inductivas.


  • Capacidad de energía de avalancha especificada a temperatura elevada
  • Carga de puerta baja almacenada para una conmutación eficiente
  • Baja potencia de conducción, alto voltaje
  • Garantía de prueba de avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 3 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 10 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 50 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 2.4 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2398

Documentación

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