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Transistor MTP2P50E Mosfet TO220 CH-P 500 V 2 A

Transistor MTP2P50E Mosfet TO220 CH-P 500 V 2 A

TRAMTP2P50E

$ 40.00 MXN

Precio Regular: $ 69.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor MTP2P50E  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Terminación robusta de alto voltaje
  • Energía de avalancha especificada
  • Tiempo de recuperación de diodo de fuente a drenaje comparable a un diodo de recuperación rápido discreto
  • El diodo se caracteriza por su uso en circuitos de puente
  • IDSS y VDS (encendido) especificados a temperatura elevada
  • Aplicaciones: Administración de potencia


Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-P
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 2 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 6 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 75 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 4.5 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2381  

    Documentación

    Datasheet

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