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Transistor MTP11N60 Mosfet TO220 CH-N 650 V 11 A

Transistor MTP11N60 Mosfet TO220 CH-N 650 V 11 A

TRAMTP11N60

$ 35.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El MTP11N60 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 
  • Baja capacitancia de entrada y carga de compuerta
  • Baja resistencia de entrada de compuerta
  • Mejor RDS (encendido)
  • Aplicaciones: Conmutación

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 11 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 33 A
  • Corriente de avalancha IAR: 11 A
  • Disipación de potencia de colector PC (Tc=25 °C): 33 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

No Aplica

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