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Descripción

El transistor MTH8N4 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTH8N4  de fácil manejo y tiempos de conmutación muy rápidos lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Las aplicaciones típicas incluyen fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de alimentación ininterrumpida y control de velocidad del motor.

  • Alto voltaje: 500 V para SMPS fuera de línea
  • Alta corriente
  • Conmutación ultrarrápida para funcionamiento a menos de 100 kHz
  • Aplicaciones: Industrial, fuentes de alimentación conmutadas e interrumpidas,  controles del motor

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje-fuente máximo DSS: 450 V
  • Voltaje puerta-fuente máximo VGS: ± 20 V
  • Corriente continua drenaje ID:  8 A
  • Disipación de potencia Id: 150 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.055 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • 3 pines

Sustituto

NTE2393   2SK1248 

Documentación

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