$ 12.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor KSD1406Y esta diseñado para su uso como amplificador de potencia de baja frecuenciacomo etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.

 

  • Transistor de silicio epitaxial 
  • Su complemento es el KSB1015
  • Aplicaciones: Voltaje bajo de saturación del colector-emisor

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector a base VCBO: 60 V
  • Voltaje colector a emisor VCEO: 60 V 
  • Voltaje emisor a base VEBO: 7 V
  • Corriente colector Ic: 3 A
  • Corriente base Ib: 0.5 A
  • Disipación de potencia colector Pc (Tc=25°C): 25 W
  • Temperatura de trabajo mínima: -55 °C 
  • Temperatura de trabajo máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios