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Transistor IRFBG30PBF Mosfet TO220 CH-N 1000 V 3.1 A

Transistor IRFBG30PBF Mosfet TO220 CH-N 1000 V 3.1 A

TRAIRFBG30

$ 84.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

 

  • Clasificación dinámica de dV/dt
  • Calificación de avalancha repetitiva
  • Cambio rápido
  • Facilidad de puesta en paralelo 
  • Requisitos de unidad simples
  • Libre de plomo (Pb)
  • Aplicaciones: Disipación de energía niveles a aproximadamente 50 W

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 1000 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 3.1 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 12 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 125 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 5.0 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2399

Documentación

Datasheet

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