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Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A

Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A

TRAIRFZ48N

$ 34.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFZ48NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFZ48N es un transistor MOSFET de N-canal HEXFET® de 55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología planar avanzada.

 

  • 175 ° C Temperatura de funcionamiento
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 64 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 210 A
    • Corriente de avalancha IAR: 32 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 130 W
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.014 ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2904    HUFA7533P3   IRF1010E   IRF2807   RFP70N06

    Documentación

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